Название: Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Автор: К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов
Год издания: 2012
Страниц: 304
Формат: pdf
Размер: 9,85 MB
Описание: В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники.
     Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.
     Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.