Название: Особенности применения оптронов в режиме малых токов
Автор: Игумнов В.Д., Чернышев А.А., Шведов А.Н.
Год издания: 1979
Страниц: 59
Формат: pdf
Размер: 2,59 MB
Описание: В книге рассматриваются характеристики и основные эксплуатационные параметры светоизлучающих диодов, фотоприемников и оптронов, а также зависимости этих параметров от режима и температуры при работе на малых токах. Рассматриваются вопросы построения оптоэлектронных устройств непрерывного и импульсного действия.
     Книга предназначена для инженеров-разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

Название: Производство полупроводниковых материалов. Учебное пособие
Автор: Нашельский А.Я.
Год издания: 1982
Страниц: 312
Формат: djvu
Размер: 3,99 MB
Описание: В книге "Производство полупроводниковых материалов" сообщаютсякраткие сведения об основных материалах современной полупроводниковой электроники, строении и росте кристаллов, основных положениях физики полупроводников, свойствах и марках монокристаллов важнейших полупроводников. Приводятся данные об основных и вспомогательных материалах полупроводникового производства, процессах и технологии поликристаллических полупроводников. Рассмотрены основные положения технологии выращивания однородно легированных монокристаллов с совершенной структурой методами направленной кристаллизации, приведены примеры расчетов легирования, а также вопросы экономики производства монокристаллов полупроводников, охраны труда и техники безопасности.
     Книга "Производство полупроводниковых материалов" является учебным пособием для подготовки рабочих на производстве; может быть полезна учащимся ПТУ.

Название: Полупроводниковая электроника. Учебное пособие
Автор: Скоробогатова Л.А., Семенов А.Л.
Год издания: 2014
Страниц: 250
Формат: pdf
Размер: 4,47 MB
Описание: В учебном пособии рассмотрены физические основы процессов, определяющих принип действия полупроводниковых приборов, явления переноса и контактные явления в полупроводниках и структурах металл–полупроводник, металл–диэлектрик–полупроводник. Рассмотрены устройство, принцип действия и характеристики основных полупроводниковых приборов с р-n-переходами и диода Ганна.
     Предназначено для бакалавров старших курсов направления «Микроэлектроника и наноэлектроника».

Название: Новые транзисторы. Справочник
Автор: Перельман Б.Л., Петухов В.М.
Год издания: 1994
Страниц: 272
Формат: djvu
Размер: 5,49 MB
Описание: Приведены сведения о назначении новых биполярных и полевых транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики, зависимость параметров от режимов, температуры и частоты, особенности монтажа, габаритные чертежи предельные режимы эксплуатации.
     В приложении к справочнику представлены наиболее близкие аналоги отечественных и зарубежных транзисторов, выпускаемых различными фирмами и странами. Этот материал может оказаться полезным для замены вышедших из строя транзисторов при ремонте импортной радиоэлектронной аппаратуры.
     Книга полезна радиолюбителям, разработчикам радиоэлектронной аппаратуры, студентам техникумов и ВУЗов.

Название: Математическое моделирование тиристорных преобразователей
Автор: Богрый В.С., Русских А.А.
Год издания: 1972
Страниц: 184
Формат: djvu
Размер: 1,55 MB
Описание: В книге излагаются общие принципы и методика моделирования вентильных преобразователей, основанные на использовании аналоговых вычислительных машин в комплексе с цифровыми устройствами управления; описываются схемы этих устройств; освещаются вопросы точности моделирования; приводятся примеры построения моделей. Изложенная в книге методика пригодна для моделирования транзисторных и любых других устройств, работающих в режиме переключения.
     Книга рассчитана на инженеров, занимающихся преобразовательной техникой, на преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Название: Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях
Автор: Конуэлл Э.
Год издания: 1970
Страниц: 386
Формат: djvu
Размер: 6,11 MB
Описание: Книга посвящается электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанных с действием сильных электрических полей.
     Ценной особенностью книги является подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных для конкретных полупроводниковых материалов. В книге имеется подробная библиография.

Название: Полупроводниковая электроника. Техническая информация, технологии и характеристики
Автор: Шумахер У.
Год издания: 2004
Страниц: 590
Формат: pdf
Размер: 9,15 MB
Описание: Эта монография, которая является одновременно классическим учебником, надежным кратким справочником и просто увлекательной книгой, быстро завоевала популярность среди инженеров-электронщиков и электротехников, а также преподавателей и пользователей.
     Сборник «Полупроводниковая электроника» содержит проверенные временем фундаментальные знания от A (АЦП) до Z (эффект Зенера), с которыми вы сможете ознакомиться подробно в соответствующих главах или кратко в глоссарии (в конце книги). Но все же реальная новизна книги состоит в том, что в ней изложены все современные тенденции, веяния и достижения в области полупроводниковых технологий.

Название: Микроструктуры интегральной электроники
Автор: Бузанева Е.В.
Год издания: 1990
Страниц: 304
Формат: djvu
Размер: 16,49 MB
Описание: Рассмотрена связь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых полупроводниковых структур с системой потенциальных барьеров и квантовых ям (двух- и много-барьерные структуры, сверхрешетки); слоистых структур сверхпроводник-изолятор (или нормальный металл, полупроводник) сверхпроводник и периодических структур на их основе с джозефсоновской связью между слоями.
     Изложены основы физики, микротехнологии и применения микроструктур иа элементарных, сложных полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках в приборах, устройствах и сверхбольших сверхскоростных микросхемах.
     Для научных работников, специализирующихся в области микроэлектроники, полупроводниковых и сверхпроводниковых приборов.

Название: Основы теории транзисторов и транзисторных схем
Автор: И. П. Степаненко
Год издания: 1967
Страниц: 616
Формат: djvu
Размер: 16,84 MB
Описание: В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу указанных схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниках, полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студентов, специализирующихся по прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике, приборостроению, а также по ряду областей радиотехники и электросвязи.
     Изложение материала рассчитано на лиц, знакомых с курсами математики и физики в объеме технических вузов, а также с теорией линейных электрических цепей (включая символический и операторный методы анализа) и основами ламповой электроники.

Название: Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение
Автор: Дьяконов В.П.
Год издания: 2008
Страниц: 240
Формат: pdf
Размер: 13,25 MB
Описание: Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ОПТ, оптроны на фото-ОПТ, интегрированные с тиристором ОПТ, функциональные схемы на ОПТ в интегральном исполнении, транзисторные аналоги ОПТ и многочисленные схемы применения приборов этого класса. Наряду с достоинствами приборов объективно описаны их недостатки и ограничения.
     Для инженеров, студентов, аспирантов и преподавателей вузов и университетов, специализирующихся в области промышленной, авиационной, энергетической и бытовой электроники, а также для подготовленных радиолюбителей.