Название: Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений
Автор: Горюнов Н. Н., Носов Ю. Р.
Год издания: 1968
Страниц: 304
Формат: djvu
Размер: 2,85 MB
Описание: Приводятся сведения о важнейших свойствах полупроводниковых диодов различных классов. Кратко описаны принцип действия, конструкция, технология изготовления диодов. Приведены система электрических параметров диодов и методы их измерения. Особое внимание уделено эксплуатационным свойствам диодов разных классов, а также вопросам их правильного применения в радиоэлектронных схемах.
     Книга рассчитана на широкий круг инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах.

Название: Полупроводниковые приборы. Диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектронные приборы. Справочник
Автор: Голомедов А.В.
Год издания: 1988
Страниц: 593
Формат: djvu
Размер: 7,12 MB
Описание: Приведены справочные данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению серийно выпускаемых приборов: диодов высокочастотных, импульсных, сверхвысокочастотных (смесительных, детекторных, параметрических, переключательных, умножительных, настроечных, генераторных), туннельных и обращенных, варикапов, генераторов шума, излучающих диодов ИК диапазона, светоизлучающих днодов, знакосинтезирующих индикаторов, оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем.
     Даны динамические импульсные, частотные и температурные зависимости параметров. Описаны особенности применения в радиоэлектронной аппаратуре.

Название: Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Дополнение 1. Справочник
Автор: Петухов В.М.
Год издания: 1993
Страниц: 225
Формат: djvu
Размер: 3,01 MB
Описание: Настоящий справочник является дополнением к выпущенным в 1989 г. издательством "Радио и связь" справочникам "Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности" и "Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности".
     Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и условиях работы.

Название: Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления
Автор: Ди Лоренцо Д. В., Канделуола Д. Д.
Год издания: 1988
Страниц: 196
Формат: djvu
Размер: 5,55 MB
Описание: Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе.
     Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и применением полевых транзисторов, а также микроэлектронных СВЧ устройств.

Название: Защита полупроводниковых преобразователей
Автор: Глух Е.М. Зеленов В.Е.
Год издания: 1982
Страниц: 152
Формат: pdf
Размер: 14,27 MB
Описание: В книге "Защита полупроводниковых преобразователей" рассмотрены аварийные режимы силовых полупроводниковых преобразователей, приведены расчетные формулы и построены кривые мгновенных и амплитудных значений аварийных токов и их теплового воздействия на полупроводниковые приборы. Определены требования, предъявляемые к защите полупроводниковых преобразователей, описаны различные защитные средства и устройства и необходимые для них датчики, в том числе устройства автоматического повторного, включения.
     Первое издание книги вышло в свет в 1970 г. Во втором издании, переработаны гл. 1, 3, 6 и дополнены гл. 2, 4, 5.
     Для инженеров и техников, занятых разработкой, проектированием и эксплуатацией силовых полупроводниковых преобразователей.

Название: Силовые ионные и полупроводниковые приборы
Автор: Вишневский А. И., Руденко В. С, Платонов А. П.
Год издания: 1975
Страниц: 343
Формат: djvu
Размер: 3,46 MB
Описание: В книге "Силовые ионные и полупроводниковые приборы" рассматриваются: физика полупроводников и физические процессы в силовых полупроводниковых приборах, их основные характеристики, параметры, конструкции и основы технологии; основные вопросы надежности и теплоотвода. а также вопросы моделирования режимов работы силовых полупроводниковых приборов; схемы управления силовых полупроводниковых приборов и преобразовательных устройств; схемы последовательного и параллельного соединения тиристоров, а также схемы импульсных устройств на тиристорах.
     Приводятся основные типы новых силовых высоковольтных ионных приборов с объяснением происходящих в них физических процессов, конструктивные особенности и основные области применения силовых ионных приборов. Дается технико-экономическое обоснование эффективности применения силовых приборов в устройствах преобразовательной техники.

Название: Физические основы расчета полупроводниковых термоэлектрических устройств
Автор: Бурштейн А. И.
Год издания: 1962
Страниц: 133
Формат: djvu
Размер: 1,45 MB
Описание: К числу термоэлектрических явлений относят обычно три обратимых термоэлектрических эффекта: Зеебека, Пельтье и Томсона. Эти эффекты связаны с взаимным превращением тепловой энергии в энергию электрического тока. Термодинамический анализ обнаруживает глубокую связь и взаимообусловленность термоэлектрических эффектов, которые в рамках кинетической теории явлений переноса получают свое естественное объяснение. Эта далеко идущая общность отражается также и на экономических характеристиках термоэлектрического процесса. Она проявляется, в частности, в подобии ряда формул, относящихся к батареям разного назначения, а также в универсальности предела, к которому стремится КПД процесса при наиболее полном использовании всех конструктивных возможностей.

Название: Электронные приборы. Учебное пособие
Автор: Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В.
Год издания: 2012
Страниц: 333
Формат: pdf
Размер: 23,25 MB
Описание: Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
     Описаны преобразовательные приборы, использующие различные эффекты в полупроводниковых материалах.
     Приведены задания для самостоятельной работы и примеры инженерных расчетов с использованием эквивалентных электрических схем транзистора.
     Данное пособие может быть полезным для студентов всех инженерных направлений, в том числе и радиотехнического профиля, а также студентов физических факультетов.

Название: СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках
Автор: А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой
Год издания: 2011
Страниц: 256
Формат: pdf
Размер: 38,27 MB
Описание: Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов.
     Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 «Электроника и наноэлектроника». Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий

Название: Контактный теплообмен силовых полупроводниковых приборов
Автор: Гува А.Я.
Год издания: 2005
Страниц: 210
Формат: djvu
Размер: 3,33 MB
Описание: В книге "Контактный теплообмен силовых полупроводниковых приборов" обобщены результаты экспериментальных исследований по контактному теплообмену мощных полупроводниковых приборов. Основное внимание уделено выявлению физической сущности процесса теплопереноса и рассмотрению современных методов интенсификации контактного теплообмена с использованием новых технологий. Приведены измеренные значения контактных тепловых сопротивлений для большинства корпусов силовых приборов, установленных на теплоотвод через различные теплопроводные составы и прокладки. Даны тепловые характеристики для оперативного расчёта радиаторов и некоторые рекомендации по охлаждению сверхтеплонагруженных микросхем.
     Для инженерно-технических и научных работников, занимающихся проектированием и эксплуатацией аппаратуры на базе мощных полупроводниковых приборов, а также для студентов технических специальностей и конструкторов-любителей.