ѕолупроводники » —траница 8 » –†вАШ–†—С–†¬±–†¬ї–†—С–†—Х–°вАЪ–†¬µ–†—Ф–†¬∞ –°–В–†¬∞–†“С–†—С–†—Х–†¬ї–°–Л–†¬±–†—С–°вАЪ–†¬µ–†¬ї–°–П
Ћогин:
ѕароль:
ћеню сайта
√лавна€ ‘орум сайта RKniga.ru ‘орум ѕравила сайта  ниги ∆урналы ѕрограммы, —офт ѕрограммы —сылки Ќаписать нам
ѕоследние материалы
  •  аршеринг в ћоскве - это ѕросто, ”добно и Ќедорого.
  • ѕолевые транзисторы и их применение в технике св€зи. ћонографи€
  • ∆урнал –адиоЋоцман 2017 є1
  • Ћинейные усилители переменного сигнала
  • ‘отопреобразователи солнечной энергии. ”чебное пособие
  • ќсновы проектировани€ лазерных локационных систем
  • ƒомашний электрик. ћелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Ёлектрические измерени€. ”чебник. 8-е изд
  • ∆урнал Nuts and Volts 2017 є2
  • »змерительное телевидение. ”чебное пособие дл€ вузов
  • ѕопул€рные материалы
    —лучайна€ схема
    ƒрузь€ сайта
  • –адиолюбительска€ библиотека

  • Ќазвание: ќптика полупроводников. ”чебное пособие
    јвтор: ¬ойцеховский ј.¬., ѕетров ј.—., ѕотахова √.».
    √од издани€: 1987
    —траниц: 222
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 16,55 MB
    ќписание: ¬ учебном пособии рассмотрены основные закономерности поглощени€ электромагнитного излучени€ в полупроводниках. ƒаетс€ детальное описание различных видов поглощени€ (собственное, экситонное, примесное, свободными носител€ми зар€да и атомами кристаллической решЄтки) и иллюстрируютс€ возможности оптических методов дл€ определени€ фундаментальных параметров полупроводников. «начительное внимание удел€етс€ вопросам поглощени€ ионизирующих излучений, излучательным процессам в полупроводниках и физическим €влени€м в светоизлучающих приборах.
         ќсновное внимание в данном учебном пособии удел€етс€ взаимодействию с полупроводниками излучени€ оптического диапазона. ¬ то же врем€ проведено рассмотрение процессов поглощени€ ионизирующей радиации полупроводниками, используемых на практике в лазерах с накачкой электронным пучком и т.п.
         ѕособие написано на основе курсов лекций, прочитанных авторами в течение 1975 Ч 1985 гг. в “омском университете.
         ƒл€ студентов радиофизических и физических факультетов, специализирующихс€ по физике полупроводников, оптической и квантовой электронике.

    Ќазвание: ћетоды измерени€ параметров полупроводниковых материалов
    јвтор: ѕавлов Ћ.ѕ.
    √од издани€: 1987
    —траниц: 239
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,55 MB
    ќписание: ÷елью курса "ћетоды измерени€ параметров полупроводниковых материалов" €вл€етс€ изучение экспериментальных методов измерени€ параметров, которые €вл€ютс€ основными дл€ производственного контрол€ качества полупроводниковых материалов и структур и составл€ют основу многих методов исследовани€ в области физики полупроводников и полупроводниковых приборов.
         ќсновное внимание в книге уделено методам измерени€ удельной электрической проводимости, концентрации носителей зар€да и легирующих примесей, подвижности основных и неосновных носителей зар€да, коэффициента диффузии, диффузионной длины и объемного времени жизни неосновных носителей зар€да, объемного генерационного времени неравновесных носителей зар€да, скорости поверхностной рекомбинации, параметров глубоких уровней и некоторых других параметров.
         »зложение базируетс€ главным образом на материалах предыдущих курсов "‘изика полупроводников" и "–адиотехника и радиоизмерени€".

    Ќазвание: “ранзисторы в SMD-исполнении. Nec, Panasonic, Sanyo, Toshiba. “ом 2. —правочник
    јвтор: јвраменко ё.‘.
    √од издани€: 2007
    —траниц: 638
    ‘ормат: DjVu
    –азмер: 27,02 MB
    ќписание: —правочник продолжает новую серию "Ёлементна€ база", в которой представлены технические данные на современные полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей.
         ¬торой том содержит в себе справочные данные на бипол€рные транзисторы в SMD-исполнении, транзисторные сборки разных структур, транзисторные ключи дл€ работы в цифровых схемах и их наборы. ѕри составлении этого тома использовалась техническа€ документаци€ следующих производителей: Nec, Panasonic, Sanyo и Toshiba.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые преобразователи в системах зар€да накопительных конденсаторов
    јвтор:  ныш ¬.ј.
    √од издани€: 1981
    —траниц: 160
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 22,65 MB
    ќписание:  нига посв€щена анализу, расчету и описанию полупроводниковых преобразовательных устройств дл€ зар€да накопительных конденсаторов в системах электроснабжени€ импульсных энергетических установок. »злагаетс€ теори€ электромагнитных процессов в преобразовател€х, рассматриваютс€ схемные решени€, лптимальные по критерию минимума массы при питании от автономных источников, привод€тс€ примеры расчета.
          нига "ѕолупроводниковые преобразователи в системах зар€да накопительных конденсаторов" предназначена дл€ инженерно-технических работников, специализирующихс€ в области силовой и полупроводниковой техники, и может быть также полезна студентам старших курсов, занимающихс€ промышленной электроникой.

    Ќазвание: “ехнологи€ полупроводниковых материалов
    јвтор: јлександров —.≈., √реков ‘.‘.
    √од издани€: 2012
    —траниц: 230
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 1,31 MB
    ќписание: ѕредставлена технологи€ и техника производства полупроводниковых материалов, имеющих широкое применение в электронной промышленности. –ассмотрены основные физические и химические свойства элементарных полупроводников и компонентов бинарных соединений, необходимые дл€ обосновани€ рациональных приемов их глубокой очистки, синтеза и получени€ в виде массивных монокристаллов. ѕриведены традиционные и новейшие технологические схемы и технические решени€, даны краткие описани€ оборудовани€, позвол€ющие формировать оптимальные схемы производства с учетом требований к качеству продукции.
         ѕособие предназначено дл€ студентов ¬”«ов, обучающихс€ по магистерской программе Ђ—овременные проблемы материаловедени€ї направлени€ подготовки магистров Ђћатериаловедение и технологи€ материаловї. ќно также может быть использовано при обучении в системах повышени€ квалификации и в учреждени€х дополнительного профессионального образовани€.

    Ќазвание: ѕоверхностные пол€ритоны в полупроводниках и диэлектриках
    јвтор: ƒмитрук Ќ.Ћ., Ћитовченко ¬.√., —трижевский ¬.Ћ.
    √од издани€: 1989
    —траниц: 376
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 20,21 MB
    ќписание: ¬ монографии изложены теоретические основы и экспериментальные методы исследовани€ спектроскопии поверхностных пол€ритонов. ќписаны основные свойства поверхностных пол€ритонов различных видов, их жисперси€, пространственна€ и пол€ризационна€ структура и другие характеристики. ѕроанализированы методы возбуждени€ и детектировани€ поверхностных пол€ритонов.
         ƒл€ научных и инженерно-технических работников, занимающихс€ физикой поверхности твердых тел, квантовой электроникой, оптоэлектроникой и интегральной оптикой.
    Ўаг за шагом. “ранзисторы
    ƒобавлен: 18-12-2014, 06:09 ѕросмотров: 904  омментарии: 0

    Ќазвание: Ўаг за шагом. “ранзисторы
    јвтор: —ворень –.ј.
    √од издани€: 1971
    —траниц: 362
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 14,17 MB
    ќписание: Ёта книжка по возможности построена так, что описани€ конкретных электронных приборов, которые можно построить своими силами, переплетаютс€ с рассказом об Ђархитектуреї и налаживании схем, об электрических цеп€х, их отдельных элементах. ќднако все, что хотелось рассказать об основах радиоэлектроники, не удалось равномерно Ђперемешатьї с описани€ми приборов-самоделок. ѕотому что о некоторых вещах нужно знать еще до того, как вы возьмете в руки па€льник...

    Ќазвание: ‘изика полупроводников. ”чебное пособие дл€ втузов
    јвтор:  иреев ѕ.—.
    √од издани€: 1975
    —траниц: 586
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 34,54 MB
    ќписание:  нига написана как учебное пособие дл€ студентов, это наложило определенный отпечаток на метод изложени€ материала. ¬ ней практически отсутствует экспериментальный материал, св€занный с описанием свойств. конкретных полупроводниковых веществ. Ёто обусловлено тем, что объем информации в насто€щее врем€ крайне велик и к тому же ой непрерывно возрастает, поэтому сведени€, олученные сегодн€, завтра могут оказатьс€ устаревшими. ”чебник или учебное пособие в отличие от обзоров и монографий должен содержать общие дл€ всех веществ вопросы, одинаково пригодные дл€ объ€снени€ физических €влений в любом веществе.

    Ќазвание: —овременные полупроводниковые приборы
    јвтор: ‘омин Ќиколай Ќиколаевич,  оролев ёрий Ќиколаевич
    √од издани€: 1969
    —траниц: 82
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,15 MB
    ќписание: «а последнее дес€тилетие в полупроводнике? вой электронике по€вилось огромное число новых типов приборов. ќдни из них по. принципу действи€ и характеристикам похожи на обычные транзисторы, например полевые транзисторы с р-п переходами, транзисторы со структурой металлЧокиселЧполупроводник и тонкопленочные транзисторы. ƒругие имеют принципиально иное устройство. Ёто полупроводниковые приборы с внутренним отрицательным сопротивлением или проводимостью. Ќаиболее характерным таким прибором €вл€етс€ туннульный диод.   более поздним разработкам относ€тс€' лавинно-пролетный диод и приборы на основе объЄмных эффектов (без р-п переходов), обладающие отрицательной проводимостью в динамическом режиме. ѕромежуточное положение занимают приборы с внутренним отрицательным сопротивлением, в которых имеетс€ возможность управлени€ их параметрами с помощью внешнего сигнала. Ёто, например, приборы с р-п-р-п структурой и однопереходые транзисторы.
         ¬ предлагаемой брошюре сделана попытка кратко изложить физические процессы и основные принципы схемного использовани€ наиболее интересных полупроводниковых приборов, по€вившихс€ после транзистора. ¬ силу фрагментарности и сжатости изложени€, €вившегос€ в значительной степени следствием ограниченного объема брошюры, ни в коей мере не соответствующего сложности и разнообразию рассматриваемых €влений, ее чтение требует от читател€ знакомства с физическими основами работы полупроводниковых приборов и основами радиотехники.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые преобразователи в автономном электроприводе посто€нного тока
    јвтор: ѕавлов ¬.Ѕ., Ўидловский ј. ., —киданов ¬.ћ., –ычков ¬.ј.
    √од издани€: 1987
    —траниц: 284
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,33 MB
    ќписание: ћонографи€ €вл€етс€ расширенным и дополненным переизданием работы "“иристорные преобразователи посто€нного напр€жени€ дл€ низковольтного электротранспорта". ƒан анализ тиристорных и транзисторных преобразователей. ѕриведены результаты исследовани€ энергетических показателей элементов и системы электропривода в целом. ќсвещены вопросы реализации управлени€ преобразовател€ми, включа€ оптимальное управление средствами микропроцессорной техники.
         ƒл€ научных и инженерно-технических работников, специализирующихс€ в области преобразовательной техники; может быть полезна преподавател€м, аспирантам и студентам вузов соответствующих специальностей.