ѕолупроводники » —траница 7 » –†вАШ–†—С–†¬±–†¬ї–†—С–†—Х–°вАЪ–†¬µ–†—Ф–†¬∞ –°–В–†¬∞–†“С–†—С–†—Х–†¬ї–°–Л–†¬±–†—С–°вАЪ–†¬µ–†¬ї–°–П
Ћогин:
ѕароль:
ћеню сайта
√лавна€ ‘орум сайта RKniga.ru ‘орум ѕравила сайта  ниги ∆урналы ѕрограммы, —офт ѕрограммы —сылки Ќаписать нам
ѕоследние материалы
  •  аршеринг в ћоскве - это ѕросто, ”добно и Ќедорого.
  • ѕолевые транзисторы и их применение в технике св€зи. ћонографи€
  • ∆урнал –адиоЋоцман 2017 є1
  • Ћинейные усилители переменного сигнала
  • ‘отопреобразователи солнечной энергии. ”чебное пособие
  • ќсновы проектировани€ лазерных локационных систем
  • ƒомашний электрик. ћелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Ёлектрические измерени€. ”чебник. 8-е изд
  • ∆урнал Nuts and Volts 2017 є2
  • »змерительное телевидение. ”чебное пособие дл€ вузов
  • ѕопул€рные материалы
    —лучайна€ схема
    ƒрузь€ сайта
  • –адиолюбительска€ библиотека

  • Ќазвание: ‘изические основы полупроводниковой фотоэлектроники. ”чебное пособие
    јвтор: ¬ойцеховский ј.¬., »жнин ».»., —авчин ¬.ѕ., ¬акив Ќ.ћ.
    √од издани€: 2013
    —траниц: 560
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 7,15 MB
    ќписание: ”чебное пособие, состо€щее из двух частей, посв€щено полупроводниковой фотоэлектронике. ¬ первой части изложены физические принципы фотоэлектрических €влений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. ¬о второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого р€да полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных.
         –ассмотрены способы и варианты построени€ оптических фотоэлектронных систем как видимого, так и инфракрасного диапазонов.
         ƒл€ студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.
    –асчет схем на транзисторах
    ƒобавлен: 18-04-2015, 09:23 ѕросмотров: 1374  омментарии: 0

    Ќазвание: –асчет схем на транзисторах
    јвтор: ¬олсон ƒжозеф
    √од издани€: 1969
    —траниц: 590
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 59,09 MB
    ќписание:  нига посв€щена вопросам инженерного расчета и конструировани€ схем на транзисторах. »зложены наиболее важные элементы теории транзисторов. «начительный раздел посв€щен описанию основных параметров транзисторов и методов их измерени€.
    “ранзисторные генераторы импульсов
    ƒобавлен: 9-04-2015, 17:53 ѕросмотров: 817  омментарии: 0

    Ќазвание: “ранзисторные генераторы импульсов
    јвтор: ƒоронкин ≈.‘., ¬оскресенский ¬.¬.
    √од издани€: 1968
    —траниц: 302
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 10,00 MB
    ќписание: ¬ книге рассматриваютс€ основные свойства плоскостных транзисторов, особенности их работы в ключевом режиме; схемы мультивибраторов, триггеров, блокинг-генераторов, генераторов пилообразного напр€жени€ с разр€дным каскадом, с компенсирующей эдс; генераторов пилообразного тока на транзисторах, широко используемых в разнообразной аппаратуре св€зи, телевидени€ и других областей техники. ƒана методика расчетов этих устройств.
          нига рассчитана на инженерно-технических работников предпри€тий св€зи, заводов и конструкторских бюро, а также на студентов радиотехнических техникумов. ќна может быть полезной широкому кругу читателей, интересующихс€ вопросами практического использовани€ полупроводниковой электроники.

    Ќазвание: ѕолупроводникова€ электроника. —войства материалов. —правочник
    јвтор: Ѕаранский ѕ.».,  лочков ¬.ѕ., ѕотыкевич ».¬.
    √од издани€: 1975
    —траниц: 704
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 12,65 MB
    ќписание: ќписаны основные физические свойства и параметры элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений, наход€щих широкое применение в полупроводниковой электронике. —истематизированы и рассмотрены структура энергетических зон, электрические, оптические, магнитные, гальвано- и термомагнитные свойства, вли€ние примесей и структурных дефектов на эти свойства и пр. ќбобщен обширный материал по физическим процессам, происход€щим в полупроводниках, что в значительной мере будет способствовать выбору перспективных новых полупроводниковых материалов, предназначенных дл€ решени€ конкретных практических задач современной полупроводниковой электроники.
         —правочник рассчитан на физиков, химиков и инженеров, занимающихс€ технологией и изучением физических свойств полупроводников, а также создающих приборы на их основе. ѕолезен дл€ преподавателей, студентов и аспирантов университетов и физико-техническиз вузов.
    ћетоды расчета транзисторов
    ƒобавлен: 6-03-2015, 13:03 ѕросмотров: 866  омментарии: 0

    Ќазвание: ћетоды расчета транзисторов
    јвтор: “рутко ј.‘.
    √од издани€: 1971
    —траниц: 272
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 4,77 MB
    ќписание: ¬ книге рассматриваетс€ св€зь между параметрами и физической структурой элементов транзистора и на этой основе даютс€ методы и формулы, позвол€ющие по заданной структуре рассчитать параметры транзисторов.
         ќбсуждены основные физические параметры полупроводниковых материалов, эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов, методы расчета p-n переходов, бездрейфовых и дрейфовых транзисторов и приведены примеры их расчета.
          нига "ћетоды расчета транзисторов" предназначена дли студентов вузов и инженерно технических работников, специализирующихс€ в области разработки и изготовлени€ полупроводниковых приборов.
    ‘изика полупроводниковых приборов.
    ƒобавлен: 7-02-2015, 07:35 ѕросмотров: 837  омментарии: 0

    Ќазвание: ‘изика полупроводниковых приборов
    јвтор: Ћебедев ј.».
    √од издани€: 2008
    —траниц: 487
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 39,74 MB
    ќписание: –ассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, бипол€рных и полевых транзисторов, тиристоров, —¬„ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов √анна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зар€довой св€зью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др. ). ¬ыведены основные теоретические соотношени€, определ€ющие характеристики этих приборов. Ѕольшое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используютс€ гетеропереходы, квантовые €мы и квантовые точки. ѕомимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее врем€ технологические проблемы и указаны перспективные пути их решени€.
         ƒл€ студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.

    Ќазвание: ќборудование полупроводникового производства
    јвтор: Ѕлинов ».√.
    √од издани€: 1986
    —траниц: 264
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 5,14 MB
    ќписание: »зложены вопросы конструировани€ и особенности основных видов технологического оборудовани€ полупроводникового производства. —формулированы требовани€ к оборудованию, определ€емые технологическими процессами, и даны практические рекомендации по их реализации. ќтмечена необходимость системного подхода к комплексной механизации и автоматизации производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
         ƒл€ студентов, изучающих оборудование полупроводникового производства в курсах Ђѕолупроводниковые и микроэлектронные приборыї, Ђ“ехнологи€ специальных материалов электронной техникиї и Ђѕолупроводниковое и электровакуумное машиностроениеї.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые преобразователи частоты. ќсновы теории и расчета
    јвтор: ћовшович ћ.≈.
    √од издани€: 1974
    —траниц: 336
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 16,30 MB
    ќписание: ¬ книге рассмотрены методы анализа и возможные значени€ важнейших показателей преобразователей частоты. ќсновное внимание уделено преобразовател€м частоты, используемым в современной аппаратуре на частотах ниже 100 ћ√ц.
          нига рассчитана на научных работников и инженеров, а также на преподавателей, аспирантов и студентов старших курсов высших учебных заведений.

    Ќазвание: ‘изические основы полупроводниковой электроники
    јвтор: —нитко ќ.¬.(ред.)
    √од издани€: 1985
    —траниц: 302
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 7,54 MB
    ќписание: ¬ книге подытожены результаты фундаментальных и прикладных исследований, выполненных за последние 10Ч15 лет в »нституте полупроводников јЌ ”——–. ¬се обзоры книги объединены вокруг одной из важнейших проблем современной физики твердого тела Ч взаимодействи€ электромагнитного излучени€ с полупроводниками в диапазоне частот от сантиметрового до рентгеновского излучени€.
         ‘ундаментальные теоретические и экспериментальные исследовани€, многие из которых положили начало новым направлени€м в оптике, фотоэлектронике, физике поверхности, радиоспектроскопии полупроводников и др., наход€т естественное продолжение в материаловедении, оптоэлектронике, метрологии и в других прикладных област€х.
         ƒл€ специалистов-физиков, инженерно-технических работников, а также преподавателей и студентов вузов физических специальностей.

    Ќазвание: “еори€ и расчет основных радиотехнических схем на транзисторах
    јвтор: јкулов ».». и др.
    √од издани€: 1964
    —траниц: 456
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 7,43 MB
    ќписание: ¬ современной радиотехнике широко используютс€ различного рода полупроводниковые приборы, из которых транзисторы и диоды наход€т уже сейчас массовое применение, а по€вившиес€ сравнительно недавно туннельные диоды €вл€ютс€ весьма перспективными. ќтдельным вопросам, св€занным с использованием этих приборов, посв€щено большое количество работ.
         Ќар€ду с этим ощущаетс€ недостаток в литературе типа учебных пособий и руководств, посв€щенных систематизированному изложению вопросов методики проектировани€ и инженерного расчЄта наиболее характерных схем. ƒанной книгой авторы стремились восполнить этот недостаток.
         ¬ книге отражЄн опыт почти восьмилетней работы коллектива авторов, возглавл€емого профессором –. ј. ¬алитовым, по проектированию транзисторной радиоаппаратуры, разработке методики расчЄта различных транзисторных схем, а также руководству курсовым и дипломным проектированием.
         ¬ ней использованы материалы отчЄтов, выполненных авторами научно-исследовательских работ и статей, опубликованных в различных периодических издани€х.
          нига "“еори€ и расчет основных радиотехнических схем на транзисторах" предназначаетс€ дл€ специалистов, занимающихс€ проектированием и расчЄтом радиоаппаратуры на транзисторах, и студентов ¬”«ов радиотехнических специальностей.