ѕолупроводники » —траница 6 » –†вАШ–†—С–†¬±–†¬ї–†—С–†—Х–°вАЪ–†¬µ–†—Ф–†¬∞ –°–В–†¬∞–†“С–†—С–†—Х–†¬ї–°–Л–†¬±–†—С–°вАЪ–†¬µ–†¬ї–°–П
Ћогин:
ѕароль:
ћеню сайта
√лавна€ ‘орум сайта RKniga.ru ‘орум ѕравила сайта  ниги ∆урналы ѕрограммы, —офт ѕрограммы —сылки Ќаписать нам
ѕоследние материалы
  •  аршеринг в ћоскве - это ѕросто, ”добно и Ќедорого.
  • ѕолевые транзисторы и их применение в технике св€зи. ћонографи€
  • ∆урнал –адиоЋоцман 2017 є1
  • Ћинейные усилители переменного сигнала
  • ‘отопреобразователи солнечной энергии. ”чебное пособие
  • ќсновы проектировани€ лазерных локационных систем
  • ƒомашний электрик. ћелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Ёлектрические измерени€. ”чебник. 8-е изд
  • ∆урнал Nuts and Volts 2017 є2
  • »змерительное телевидение. ”чебное пособие дл€ вузов
  • ѕопул€рные материалы
    —лучайна€ схема
    ƒрузь€ сайта
  • –адиолюбительска€ библиотека

  • Ќазвание: ќсобенности применени€ оптронов в режиме малых токов
    јвтор: »гумнов ¬.ƒ., „ернышев ј.ј., Ўведов ј.Ќ.
    √од издани€: 1979
    —траниц: 59
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 2,59 MB
    ќписание: ¬ книге рассматриваютс€ характеристики и основные эксплуатационные параметры светоизлучающих диодов, фотоприемников и оптронов, а также зависимости этих параметров от режима и температуры при работе на малых токах. –ассматриваютс€ вопросы построени€ оптоэлектронных устройств непрерывного и импульсного действи€.
          нига предназначена дл€ инженеров-разработчиков радиоэлектронной аппаратуры.

    Ќазвание: ѕроизводство полупроводниковых материалов. ”чебное пособие
    јвтор: Ќашельский ј.я.
    √од издани€: 1982
    —траниц: 312
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,99 MB
    ќписание: ¬ книге "ѕроизводство полупроводниковых материалов" сообщаютс€краткие сведени€ об основных материалах современной полупроводниковой электроники, строении и росте кристаллов, основных положени€х физики полупроводников, свойствах и марках монокристаллов важнейших полупроводников. ѕривод€тс€ данные об основных и вспомогательных материалах полупроводникового производства, процессах и технологии поликристаллических полупроводников. –ассмотрены основные положени€ технологии выращивани€ однородно легированных монокристаллов с совершенной структурой методами направленной кристаллизации, приведены примеры расчетов легировани€, а также вопросы экономики производства монокристаллов полупроводников, охраны труда и техники безопасности.
          нига "ѕроизводство полупроводниковых материалов" €вл€етс€ учебным пособием дл€ подготовки рабочих на производстве; может быть полезна учащимс€ ѕ“”.

    Ќазвание: ѕолупроводникова€ электроника. ”чебное пособие
    јвтор: —коробогатова Ћ.ј., —еменов ј.Ћ.
    √од издани€: 2014
    —траниц: 250
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 4,47 MB
    ќписание: ¬ учебном пособии рассмотрены физические основы процессов, определ€ющих принип действи€ полупроводниковых приборов, €влени€ переноса и контактные €влени€ в полупроводниках и структурах металлЦполупроводник, металлЦдиэлектрикЦполупроводник. –ассмотрены устройство, принцип действи€ и характеристики основных полупроводниковых приборов с р-n-переходами и диода √анна.
         ѕредназначено дл€ бакалавров старших курсов направлени€ Ђћикроэлектроника и наноэлектроникаї.
    Ќовые транзисторы. —правочник
    ƒобавлен: 18-08-2015, 04:27 ѕросмотров: 1140  омментарии: 0

    Ќазвание: Ќовые транзисторы. —правочник
    јвтор: ѕерельман Ѕ.Ћ., ѕетухов ¬.ћ.
    √од издани€: 1994
    —траниц: 272
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 5,49 MB
    ќписание: ѕриведены сведени€ о назначении новых бипол€рных и полевых транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики, зависимость параметров от режимов, температуры и частоты, особенности монтажа, габаритные чертежи предельные режимы эксплуатации.
         ¬ приложении к справочнику представлены наиболее близкие аналоги отечественных и зарубежных транзисторов, выпускаемых различными фирмами и странами. Ётот материал может оказатьс€ полезным дл€ замены вышедших из стро€ транзисторов при ремонте импортной радиоэлектронной аппаратуры.
          нига полезна радиолюбител€м, разработчикам радиоэлектронной аппаратуры, студентам техникумов и ¬”«ов.

    Ќазвание: ћатематическое моделирование тиристорных преобразователей
    јвтор: Ѕогрый ¬.—., –усских ј.ј.
    √од издани€: 1972
    —траниц: 184
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 1,55 MB
    ќписание: ¬ книге излагаютс€ общие принципы и методика моделировани€ вентильных преобразователей, основанные на использовании аналоговых вычислительных машин в комплексе с цифровыми устройствами управлени€; описываютс€ схемы этих устройств; освещаютс€ вопросы точности моделировани€; привод€тс€ примеры построени€ моделей. »зложенна€ в книге методика пригодна дл€ моделировани€ транзисторных и любых других устройств, работающих в режиме переключени€.
          нига рассчитана на инженеров, занимающихс€ преобразовательной техникой, на преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

    Ќазвание:  инетические свойства полупроводников в сильных электрических пол€х
    јвтор:  онуэлл Ё.
    √од издани€: 1970
    —траниц: 386
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 6,11 MB
    ќписание:  нига посв€щаетс€ электропроводности полупроводников в сильных электрических пол€х. –ассматриваютс€ также другие кинетические €влени€ в полупроводниках, св€занных с действием сильных электрических полей.
         ÷енной особенностью книги €вл€етс€ подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных дл€ конкретных полупроводниковых материалов. ¬ книге имеетс€ подробна€ библиографи€.

    Ќазвание: ѕолупроводникова€ электроника. “ехническа€ информаци€, технологии и характеристики
    јвтор: Ўумахер ”.
    √од издани€: 2004
    —траниц: 590
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 9,15 MB
    ќписание: Ёта монографи€, котора€ €вл€етс€ одновременно классическим учебником, надежным кратким справочником и просто увлекательной книгой, быстро завоевала попул€рность среди инженеров-электронщиков и электротехников, а также преподавателей и пользователей.
         —борник Ђѕолупроводникова€ электроникаї содержит проверенные временем фундаментальные знани€ от A (ј÷ѕ) до Z (эффект «енера), с которыми вы сможете ознакомитьс€ подробно в соответствующих главах или кратко в глоссарии (в конце книги). Ќо все же реальна€ новизна книги состоит в том, что в ней изложены все современные тенденции, ве€ни€ и достижени€ в области полупроводниковых технологий.

    Ќазвание: ћикроструктуры интегральной электроники
    јвтор: Ѕузанева ≈.¬.
    √од издани€: 1990
    —траниц: 304
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 16,49 MB
    ќписание: –ассмотрена св€зь электрофизических характеристик и физических параметров микроструктур на полу- и сверхпроводниках: поверхностно-барьерных структур (металл-/n(р)-полупроводник, металл-р+(n+)-n(р)-полупроводник, металл-туннельный диэлектрик-полупроводник); слоистых полупроводниковых структур с системой потенциальных барьеров и квантовых €м (двух- и много-барьерные структуры, сверхрешетки); слоистых структур сверхпроводник-изол€тор (или нормальный металл, полупроводник) сверхпроводник и периодических структур на их основе с джозефсоновской св€зью между сло€ми.
         »зложены основы физики, микротехнологии и применени€ микроструктур иа элементарных, сложных полупроводниках и высокотемпературных сверхпроводниках в приборах, устройствах и сверхбольших сверхскоростных микросхемах.
         ƒл€ научных работников, специализирующихс€ в области микроэлектроники, полупроводниковых и сверхпроводниковых приборов.

    Ќазвание: ќсновы теории транзисторов и транзисторных схем
    јвтор: ». ѕ. —тепаненко
    √од издани€: 1967
    —траниц: 616
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 16,84 MB
    ќписание: ¬ книге провод€тс€ анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питани€. јнализу указанных схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниках, полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов.  нига предназначена дл€ инженеров, аспирантов и студентов, специализирующихс€ по прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике, приборостроению, а также по р€ду областей радиотехники и электросв€зи.
         »зложение материала рассчитано на лиц, знакомых с курсами математики и физики в объеме технических вузов, а также с теорией линейных электрических цепей (включа€ символический и операторный методы анализа) и основами ламповой электроники.

    Ќазвание: ќднопереходные транзисторы и их аналоги. “еори€ и применение
    јвтор: ƒь€конов ¬.ѕ.
    √од издани€: 2008
    —траниц: 240
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 13,25 MB
    ќписание: —правочна€ монографи€, отражающа€ почти 60-летний период разработки и развити€ одного из старейших негатронов Ч однопереходного транзистора (ќѕ“) и его схемотехнических аналогов. ¬первые, нар€ду с описанием обычных ќѕ“ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ќѕ“, оптроны на фото-ќѕ“, интегрированные с тиристором ќѕ“, функциональные схемы на ќѕ“ в интегральном исполнении, транзисторные аналоги ќѕ“ и многочисленные схемы применени€ приборов этого класса. Ќар€ду с достоинствами приборов объективно описаны их недостатки и ограничени€.
         ƒл€ инженеров, студентов, аспирантов и преподавателей вузов и университетов, специализирующихс€ в области промышленной, авиационной, энергетической и бытовой электроники, а также дл€ подготовленных радиолюбителей.