Полупроводники » Страница 4 » RKniga.ru - Библиотека РадиоЛюбителя
Логин:
Пароль:
Меню сайта
Главная Форум сайта RKniga.ru Форум Правила сайта Книги Журналы Программы, Софт Программы Ссылки Написать нам
Последние материалы
  • Электроника для любознательных + виртуальный диск
  • Каршеринг в Москве - это Просто, Удобно и Недорого.
  • Полевые транзисторы и их применение в технике связи. Монография
  • Журнал РадиоЛоцман 2017 №1
  • Линейные усилители переменного сигнала
  • Фотопреобразователи солнечной энергии. Учебное пособие
  • Основы проектирования лазерных локационных систем
  • Домашний электрик. Мелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Электрические измерения. Учебник. 8-е изд
  • Журнал Nuts and Volts 2017 №2
  • Популярные материалы
  • Создание умного дома на базе Arduino
  • Электроника для любознательных + виртуальный диск
  • Arduino для начинающих. Самый простой пошаговый самоучи ...
  • Raspberry Pi. Сборник рецептов. Решение программных и а ...
  • Случайная схема
    Друзья сайта
  • Радиолюбительская библиотека
  • Основы теории транзисторов
    Добавлен: 30-01-2016, 12:28 Просмотров: 927 Комментарии: 0

    Название: Основы теории транзисторов
    Автор: Спиридонов Н.С.
    Год издания: 1975
    Страниц: 360
    Формат: djvu
    Размер: 11,40 MB
    Описание: Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов.
         Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
    Полупроводниковые лазеры
    Добавлен: 27-01-2016, 21:55 Просмотров: 585 Комментарии: 0

    Название: Полупроводниковые лазеры
    Автор: Богданкевич О.В., Дарзнек С.А., Елисеев П.Г.
    Год издания: 1976
    Страниц: 418
    Формат: pdf
    Размер: 5,65 MB
    Описание: Книга посвящена полупроводниковым лазерам — эффективным и компактным источникам когерентного излучения, имеющим перспективы широкого практического применения. Основное место в книге уделяется инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами. Во Введении дается краткий обзор характеристик и сводка полупроводниковых материалов, используемых в лазерах. Первая часть книги содержит анализ механизма излучательной рекомбинации в кристаллах полупроводниковых соединений, некоторых вопросов динамики и основных характеристик полупроводниковых лазеров инжекционного типа. Рас-смотрены физические процессы, сопровождающие работу лазера, а также проблемы, возникающие при их практическом применении.
         Во второй части книги рассматриваются теоретические вопросы и практические применения лазеров с электронным возбуждением; описаны процессы взаимодействия быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействия когерентного излучения с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, тепловые режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением.

    Название: Полупроводниковые приборы. Транзисторы широкого применения
    Автор: Галкин В.И., Булычев А.Л.
    Год издания: 1995
    Страниц: 383
    Формат: djvu
    Размер: 10,72 MB
    Описание: Приведены сведения об основных электрических параметрах, предельных значениях допустимых режимов работы и характеристиках биполярных и полевых транзисторов широкого применения.
         Даны классификация, система обозначений приборов, а также сведения о их назначении, маркировке и корпусах.
         Для широкого круга специалистов и радиолюбителей, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

    Название: Применение полевых транзисторов и гибридных интегральных схем на их основе в радиоэлектронной аппаратуре
    Автор: Топчилов Н.А.
    Год издания: 1975
    Страниц: 72
    Формат: djvu
    Размер: 8,30 MB
    Описание: Настоящий выпуск посвящен конференции потребителей новых изделий электронной техники, имевшей целью обмен опытом по применению полевых транзисторов и гибридных интегральных схем на их основе в радиоэлектронной аппаратуре, выбор рекомендаций по максимальной реализации свойств этих приборов, информирование потребителей о новых разработках.

    Название: Основы физики полупроводниковых приборов
    Автор: Федотов Я. А.
    Год издания: 1969
    Страниц: 592
    Формат: djvu
    Размер: 10,20 MB
    Описание: Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. Основы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношения даются в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала книги. Описаны основные типы диодов: силовые, импульсные, туннельные, лавинно-пролетные и другие. Рассматриваются также принципы действия, физические процессы и параметры биполярных и униполярных транзисторов в диапазоне низких и высоких частот, тиристоров, лавинных транзисторов, фотодиодов и фототранзисторов, датчиков Холла и др. Кратко излагаются основные сведения о технологии и конструкции полупроводниковых приборов. Значительное место отводится рассмотрению процессов на поверхности, вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов.
         Материал излагается так, чтобы сделать книгу доступной и полезной максимально широкому кругу читателей, в том числе студентам вузов и техникумов, инженерам, разрабатывающим, исследующим и применяющим полупроводниковые приборы.

    Название: Отечественные полупроводниковые приборы
    Автор: А. И. Аксенов, А. В. Нефедов
    Серия: Компоненты и технологии
    Год издания: 2008
    Страниц: 592
    Формат: djvu
    Размер: 27,34 MB
    Описание: В cпpавочном поcобии "Отечественные полупроводниковые приборы" cиcтематизиpованы в табличной фоpме в алфавитно-цифpовой поcледовательноcти данные по оcновным электpичеcким паpаметpам и конcтpуктивному иcполнению на отечеcтвенные биполяpные и полевые тpанзиcтоpы, выпpямительные диоды, cтолбы и блоки, ваpикапы, cтабилитpоны и cтабиcтоpы, тиpиcтоpы, cветоизлучающие и инфpакpаcные диоды, линейные шкалы и цифpо-буквенные индикатоpы, диодные и тpанзиcтоpные оптопаpы.
         По пpиведенным в книге пpибоpам даны cоответcтвующие аналоги.
         6-е издание дополнено рядом биполярных и полевых транзисторов.
         Удобная фоpма поиcка и воcпpиятия инфоpмации об интеpеcующиx пpибоpаx дает возможноcть пользователю по доcтоинcтву оценить пpиобpетенную им книгу.
         Книга "Отечественные полупроводниковые приборы" будет полезна шиpокому кpугу cпециалиcтов и pадиолюбителей, занимающиxcя pазpаботкой, экcплуатацией и pемонтом pадиоэлектpонной аппаpатуpы.

    Название: Люминесценция полупроводников. Учебное пособие для физических специальностей вузов
    Автор: Сердюк В.С., Ваксман Ю.В.
    Год издания: 1988
    Страниц: 198
    Формат: djvu
    Размер: 7,65 MB
    Описание: В настоящее время во многих лабораториях активно ведутся исследования люминесценции полупроводников. Характеристики и параметры люминесцентного излучения содержат ииформацию о рекомбинационных процессах, которые определяют не только излучательные, но и фотоэлектрические свойства кристаллов. Вместе с тем, люминесценция представляет собой сложное физическое явление, изучение которого позволяет более полно познать процессы, происходящие в полупроводниках при их взаимодействии с электромагнитным излучением, электрическими и магнитными полями.
         В данном учебном пособии изложены основы современных представлений о процессах, приводящих к люминесценции полупроводниковых кристаллов. Конкретные экспериментальные результаты приведены, в большинстве случаев, в качестве иллюстративного материала.
         В первом разделе пособия (гл. 1—4) рассмотрены общие закономерности люминесценции полупроводников, не зависящие от способа ее возбуждения. Вместе с тем, материал, изложенный в этом разделе, в полной мере описывает люминесценцию полупроводников, возникающую при их фотовозбуждении. Во втором разделе (гл. 5—9) рассмотрены особенности люминесценции при прочих способах ее возбуждения. Здесь же приведен обзор возможностей люминесцентного метода исследования рекомбинационных процессов в полупроводниках, а также рассмотрены основные практические применения явления.
         Учебное пособие написано на основе курса, который уже в течение ряда лет читается на физическом факультете Одесского государственного университета им. И. И. Мечникова для студентов, специализирующихся в области физики полупроводников и диэлектриков.

    Название: Переходные процессы в транзисторных каскадах
    Автор: Файзулаев Б.Н.
    Год издания: 1968
    Страниц: 248
    Формат: djvu
    Размер: 5,50 MB
    Описание: В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями.
         Книга "Переходные процессы в транзисторных каскадах" предназначена для инженерно-технических и научных работников, занимающихся разработкой и исследованием быстродействующих импульсных и высокочастотных схем на транзисторах.

    Название: Физика полупроводников. Учебник для студентов вузов
    Автор: Шалимова К.В.
    Год издания: 1976
    Страниц: 416
    Формат: djvu
    Размер: 4,05 MB
    Описание: В книге изложены основные вопросы физики полупроводников. В ней рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей за* ряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников.
         Книга предназначена для студентов вузов и может быть полезна инженерно-техническим работникам.

    Название: Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды
    Автор: Зеликман Г.А., Мазель, Е.З., Пресс Ф.П., Фронк С.В.
    Год издания: 1964
    Страниц: 184
    Формат: djvu
    Размер: 11,43 MB
    Описание: В книге рассмотрены способы создания электронно-дырочных переходов и контактов в кремниевых диодах и транзисторах.