ѕолупроводники » —траница 4 » –†вАШ–†—С–†¬±–†¬ї–†—С–†—Х–°вАЪ–†¬µ–†—Ф–†¬∞ –°–В–†¬∞–†“С–†—С–†—Х–†¬ї–°–Л–†¬±–†—С–°вАЪ–†¬µ–†¬ї–°–П
Ћогин:
ѕароль:
ћеню сайта
√лавна€ ‘орум сайта RKniga.ru ‘орум ѕравила сайта  ниги ∆урналы ѕрограммы, —офт ѕрограммы —сылки Ќаписать нам
ѕоследние материалы
  •  аршеринг в ћоскве - это ѕросто, ”добно и Ќедорого.
  • ѕолевые транзисторы и их применение в технике св€зи. ћонографи€
  • ∆урнал –адиоЋоцман 2017 є1
  • Ћинейные усилители переменного сигнала
  • ‘отопреобразователи солнечной энергии. ”чебное пособие
  • ќсновы проектировани€ лазерных локационных систем
  • ƒомашний электрик. ћелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Ёлектрические измерени€. ”чебник. 8-е изд
  • ∆урнал Nuts and Volts 2017 є2
  • »змерительное телевидение. ”чебное пособие дл€ вузов
  • ѕопул€рные материалы
    —лучайна€ схема
    ƒрузь€ сайта
  • –адиолюбительска€ библиотека
  • ќсновы теории транзисторов
    ƒобавлен: 30-01-2016, 12:28 ѕросмотров: 898  омментарии: 0

    Ќазвание: ќсновы теории транзисторов
    јвтор: —пиридонов Ќ.—.
    √од издани€: 1975
    —траниц: 360
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 11,40 MB
    ќписание: –ассмотрена теори€ бипол€рных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором.  ратко описаны электрические свойства полупроводников и теори€ p-n-перехода. ѕодробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые бипол€рные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении.  ратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы ћƒѕ-транзисторов. Ѕольшое внимание уделено математическим модел€м транзисторов.
         –ассчитана на инженерно-технических работников, занимающихс€ разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
    ѕолупроводниковые лазеры
    ƒобавлен: 27-01-2016, 21:55 ѕросмотров: 563  омментарии: 0

    Ќазвание: ѕолупроводниковые лазеры
    јвтор: Ѕогданкевич ќ.¬., ƒарзнек —.ј., ≈лисеев ѕ.√.
    √од издани€: 1976
    —траниц: 418
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 5,65 MB
    ќписание:  нига посв€щена полупроводниковым лазерам Ч эффективным и компактным источникам когерентного излучени€, имеющим перспективы широкого практического применени€. ќсновное место в книге удел€етс€ инжекционным лазерам и лазерам с возбуждением быстрыми электронами. ¬о ¬ведении даетс€ краткий обзор характеристик и сводка полупроводниковых материалов, используемых в лазерах. ѕерва€ часть книги содержит анализ механизма излучательной рекомбинации в кристаллах полупроводниковых соединений, некоторых вопросов динамики и основных характеристик полупроводниковых лазеров инжекционного типа. –ас-смотрены физические процессы, сопровождающие работу лазера, а также проблемы, возникающие при их практическом применении.
         ¬о второй части книги рассматриваютс€ теоретические вопросы и практические применени€ лазеров с электронным возбуждением; описаны процессы взаимодействи€ быстрых электронов с кристаллом, образование избыточных носителей тока, процессы взаимодействи€ когерентного излучени€ с активной средой в лазерах этого типа при различной геометрии резонатора и пучка, тепловые режимы, динамика генерации и практическое применение лазеров с электронным возбуждением.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые приборы. “ранзисторы широкого применени€
    јвтор: √алкин ¬.»., Ѕулычев ј.Ћ.
    √од издани€: 1995
    —траниц: 383
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 10,72 MB
    ќписание: ѕриведены сведени€ об основных электрических параметрах, предельных значени€х допустимых режимов работы и характеристиках бипол€рных и полевых транзисторов широкого применени€.
         ƒаны классификаци€, система обозначений приборов, а также сведени€ о их назначении, маркировке и корпусах.
         ƒл€ широкого круга специалистов и радиолюбителей, занимающихс€ разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

    Ќазвание: ѕрименение полевых транзисторов и гибридных интегральных схем на их основе в радиоэлектронной аппаратуре
    јвтор: “опчилов Ќ.ј.
    √од издани€: 1975
    —траниц: 72
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 8,30 MB
    ќписание: Ќасто€щий выпуск посв€щен конференции потребителей новых изделий электронной техники, имевшей целью обмен опытом по применению полевых транзисторов и гибридных интегральных схем на их основе в радиоэлектронной аппаратуре, выбор рекомендаций по максимальной реализации свойств этих приборов, информирование потребителей о новых разработках.

    Ќазвание: ќсновы физики полупроводниковых приборов
    јвтор: ‘едотов я. ј.
    √од издани€: 1969
    —траниц: 592
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 10,20 MB
    ќписание: »злагаютс€ физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов дл€ оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. ќсновы зонной теории, принципы электропроводности полупроводников, основные соотношени€ даютс€ в минимальном объеме, необходимом дл€ изложени€ основного материала книги. ќписаны основные типы диодов: силовые, импульсные, туннельные, лавинно-пролетные и другие. –ассматриваютс€ также принципы действи€, физические процессы и параметры бипол€рных и унипол€рных транзисторов в диапазоне низких и высоких частот, тиристоров, лавинных транзисторов, фотодиодов и фототранзисторов, датчиков ’олла и др.  ратко излагаютс€ основные сведени€ о технологии и конструкции полупроводниковых приборов. «начительное место отводитс€ рассмотрению процессов на поверхности, вопросам стабильности и надежности полупроводниковых приборов.
         ћатериал излагаетс€ так, чтобы сделать книгу доступной и полезной максимально широкому кругу читателей, в том числе студентам вузов и техникумов, инженерам, разрабатывающим, исследующим и примен€ющим полупроводниковые приборы.

    Ќазвание: ќтечественные полупроводниковые приборы
    јвтор: ј. ». јксенов, ј. ¬. Ќефедов
    —ери€:  омпоненты и технологии
    √од издани€: 2008
    —траниц: 592
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 27,34 MB
    ќписание: ¬ cпpавочном поcобии "ќтечественные полупроводниковые приборы" cиcтематизиpованы в табличной фоpме в алфавитно-цифpовой поcледовательноcти данные по оcновным электpичеcким паpаметpам и конcтpуктивному иcполнению на отечеcтвенные бипол€pные и полевые тpанзиcтоpы, выпp€мительные диоды, cтолбы и блоки, ваpикапы, cтабилитpоны и cтабиcтоpы, тиpиcтоpы, cветоизлучающие и инфpакpаcные диоды, линейные шкалы и цифpо-буквенные индикатоpы, диодные и тpанзиcтоpные оптопаpы.
         ѕо пpиведенным в книге пpибоpам даны cоответcтвующие аналоги.
         6-е издание дополнено р€дом бипол€рных и полевых транзисторов.
         ”добна€ фоpма поиcка и воcпpи€ти€ инфоpмации об интеpеcующиx пpибоpаx дает возможноcть пользователю по доcтоинcтву оценить пpиобpетенную им книгу.
          нига "ќтечественные полупроводниковые приборы" будет полезна шиpокому кpугу cпециалиcтов и pадиолюбителей, занимающиxc€ pазpаботкой, экcплуатацией и pемонтом pадиоэлектpонной аппаpатуpы.

    Ќазвание: Ћюминесценци€ полупроводников. ”чебное пособие дл€ физических специальностей вузов
    јвтор: —ердюк ¬.—., ¬аксман ё.¬.
    √од издани€: 1988
    —траниц: 198
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 7,65 MB
    ќписание: ¬ насто€щее врем€ во многих лаборатори€х активно ведутс€ исследовани€ люминесценции полупроводников. ’арактеристики и параметры люминесцентного излучени€ содержат ииформацию о рекомбинационных процессах, которые определ€ют не только излучательные, но и фотоэлектрические свойства кристаллов. ¬месте с тем, люминесценци€ представл€ет собой сложное физическое €вление, изучение которого позвол€ет более полно познать процессы, происход€щие в полупроводниках при их взаимодействии с электромагнитным излучением, электрическими и магнитными пол€ми.
         ¬ данном учебном пособии изложены основы современных представлений о процессах, привод€щих к люминесценции полупроводниковых кристаллов.  онкретные экспериментальные результаты приведены, в большинстве случаев, в качестве иллюстративного материала.
         ¬ первом разделе пособи€ (гл. 1Ч4) рассмотрены общие закономерности люминесценции полупроводников, не завис€щие от способа ее возбуждени€. ¬месте с тем, материал, изложенный в этом разделе, в полной мере описывает люминесценцию полупроводников, возникающую при их фотовозбуждении. ¬о втором разделе (гл. 5Ч9) рассмотрены особенности люминесценции при прочих способах ее возбуждени€. «десь же приведен обзор возможностей люминесцентного метода исследовани€ рекомбинационных процессов в полупроводниках, а также рассмотрены основные практические применени€ €влени€.
         ”чебное пособие написано на основе курса, который уже в течение р€да лет читаетс€ на физическом факультете ќдесского государственного университета им. ». ». ћечникова дл€ студентов, специализирующихс€ в области физики полупроводников и диэлектриков.

    Ќазвание: ѕереходные процессы в транзисторных каскадах
    јвтор: ‘айзулаев Ѕ.Ќ.
    √од издани€: 1968
    —траниц: 248
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 5,50 MB
    ќписание: ¬ книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с трем€ основными способами включени€ транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. ѕредлагаемое второе издание по отношению первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосв€зью и несколькими приложени€ми.
          нига "ѕереходные процессы в транзисторных каскадах" предназначена дл€ инженерно-технических и научных работников, занимающихс€ разработкой и исследованием быстродействующих импульсных и высокочастотных схем на транзисторах.

    Ќазвание: ‘изика полупроводников. ”чебник дл€ студентов вузов
    јвтор: Ўалимова  .¬.
    √од издани€: 1976
    —траниц: 416
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 4,05 MB
    ќписание: ¬ книге изложены основные вопросы физики полупроводников. ¬ ней рассмотрены модельные представлени€ о механизме электропроводности полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассе€ни€ носителей зар€да, генераци€ и рекомбинаци€ носителей за* р€да, диффузи€ и дрейф неравновесных носителей зар€да, изложены контактные и поверхностные €влени€ в полупроводниках, оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников.
          нига предназначена дл€ студентов вузов и может быть полезна инженерно-техническим работникам.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые кремниевые диоды и триоды
    јвтор: «еликман √.ј., ћазель, ≈.«., ѕресс ‘.ѕ., ‘ронк —.¬.
    √од издани€: 1964
    —траниц: 184
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 11,43 MB
    ќписание: ¬ книге рассмотрены способы создани€ электронно-дырочных переходов и контактов в кремниевых диодах и транзисторах.