Полупроводники » Страница 2 » RKniga.ru - Библиотека РадиоЛюбителя
Логин:
Пароль:
Меню сайта
Главная Форум сайта RKniga.ru Форум Правила сайта Книги Журналы Программы, Софт Программы Ссылки Написать нам
Последние материалы
  • Электроника для любознательных + виртуальный диск
  • Каршеринг в Москве - это Просто, Удобно и Недорого.
  • Полевые транзисторы и их применение в технике связи. Монография
  • Журнал РадиоЛоцман 2017 №1
  • Линейные усилители переменного сигнала
  • Фотопреобразователи солнечной энергии. Учебное пособие
  • Основы проектирования лазерных локационных систем
  • Домашний электрик. Мелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Электрические измерения. Учебник. 8-е изд
  • Журнал Nuts and Volts 2017 №2
  • Популярные материалы
  • Создание умного дома на базе Arduino
  • Электроника для любознательных + виртуальный диск
  • Arduino для начинающих. Самый простой пошаговый самоучи ...
  • Raspberry Pi. Сборник рецептов. Решение программных и а ...
  • Случайная схема
    Друзья сайта
  • Радиолюбительская библиотека

  • Название: Расчет стабилизации режима полупроводниковых усилителей
    Автор: В.С. Голуб
    Год издания: 1977
    Страниц: 104
    Формат: djvu
    Размер: 2,42 MB
    Описание: Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов. Дан анализ ряда термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью.
         Предназначена для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезна студентам вузов соответствующих специальностей.
    Усилители с полевыми транзисторами
    Добавлен: 1-07-2016, 02:34 Просмотров: 661 Комментарии: 0

    Название: Усилители с полевыми транзисторами
    Автор: В.М. Немчинов, В.Г. Никитаев, М.А. Ожогин, В.В. Ляхович
    Год издания: 1980
    Страниц: 192
    Формат: djvu
    Размер: 4,07 MB
    Описание: Рассмотрены основные свойства, вольт-амперные характеристики и параметры полевых транзисторов с затвором в виде р—я-перехода и со структурой металл—диэлектрик— полупроводник (МДП-транзисторы).
         Анализируются типовые и комбинированные, использующие сочетание полевого и биполярного транзисторов, каскады усилителей, их параметры и характеристики в стационарном и переходном режимах. Много внимания уделено вопросам температурного дрейфа и его компенсации, стабильности работы транзисторов и усилителей. Рассмотрены примеры применения обратной связи в этих каскадах и описаны интегральные операционные улилители. Даны рекомендации по проектированию усилителей с полевыми транзисторами, приведены практические схемы усилителей и инженерные расчетные формулы.
         Книга предназначена для инженеров, связанных с разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также будет полезна аспирантам и студентам радиотехнических специальностей вузов.
    Тиристор в электротехнике
    Добавлен: 28-06-2016, 01:33 Просмотров: 674 Комментарии: 0

    Название: Тиристор в электротехнике
    Автор: Магетто Г.
    Год издания: 1977
    Страниц: 184
    Формат: djvu
    Размер: 5,68 MB
    Описание: В предлагаемом вниманию читателей переводе книги Г. Магетто «Тиристор в электротехнике» даны ответы на основные вопросы, которые возникают у каждого, кто впервые соприкасается в своей работе с устройствами современной преобразовательной техники.
         Тиристор заметно отличается, с одной стороны, от привычных для электриков электромеханических устройств, а с другой стороны, от транзисторов, являющихся основой современной радиотехники и автоматики. При этом, однако, он работает в силовой цепи совместно с электрическими машинами и аппаратами, а в цепи его управления непременно присутствуют и транзисторы, и стабилитроны, и многие другие приборы современной электроники. Помочь разобраться в сложном сочетании противоречивых требований, предъявляемых современными системами силовой полупроводниковой техники, и призвана книга Г. Магетто.
         В книге приводятся основные характеристики тиристоров, их номинальные и максимально допустимые параметры. Большое внимание уделяется средствам защиты тиристоров от тепловых перегрузок и перенапряжений.
         Анализируются схемы управления тиристорами и предлагается универсальный способ управления на основе логических схем. Дано краткое описание специальных исполнений тиристоров и других многослойных полупроводниковых структур.
         Книга рассчитана на инженеров, работающих в области преобразовательной техники, электропривода, электрического транспорта и т.п.

    Название: Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства
    Автор: Гавалешко Н.П., Горлей П.Н., Шендеровский В.А.
    Год издания: 1984
    Страниц: 288
    Формат: pdf
    Размер: 10,38 MB
    Описание: В монографии на основе современных теоретических представлений анализируются особенности энергетической зонной структуры. Рассматриваются вопросы технологии получения монокристаллов и управления свойствами полупроводниковых материалов на основе халькогенидов II, IV и V групп Периодической системы химических элементов. Даются основные физико-химические, электрофизические и магнитные характеристики узкозонных бинарных и тройных полупроводниковых соединений с изо- гетеровалентным замещением катиона. Обсуждаются основные экспериментальные методы кинетических, оптических и магнитных измерений, методы определения основных физических и зонных параметров, а также перспективы практического применения узкополосных полупроводниковых материалов.
         Для специалистов по физике полупроводников и полупроводниковым приборам.
    Полупроводниковые импульсные диоды
    Добавлен: 27-06-2016, 03:39 Просмотров: 551 Комментарии: 0

    Название: Полупроводниковые импульсные диоды
    Автор: Ю. Р. Носов
    Год издания: 1965
    Страниц: 224
    Формат: djvu
    Размер: 3,73 MB
    Описание: В книге рассмотрены переходные процессы в полупроводниковых диодах. Описаны устройство и основные электрические и эксплуатационные характеристики важнейших типов импульсных диодов. Рассмотрены особенности работы импульсных диодов в различных электронных схемах. Даны расчеты ряда тепловых режимов малогабаритных диодов.
         Книга рассчитана на инженеров, занимающихся разработкой, изготовлением и использованием полупроводниковых приборов.

    Название: Справочник по полупроводниковым приборам
    Автор: Лавриненко В.Ю.
    Год издания: 1966
    Страниц: 311
    Формат: djvu
    Размер: 3,44 MB
    Описание: Справочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпрямителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных транзисторов с указанием области их применения. В справочнике дана новая классификация диодов и транзисторов и сведения по новым типам полупроводниковых приборов.

    Название: Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы. Справочник
    Автор: Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В.
    Год издания: 1994
    Страниц: 721
    Формат: djvu
    Размер: 14,75 MB
    Описание: В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены зарубежные аналоги отечественных микросхем, а также таблицы зарубежных диодов и транзисторов и их отечественные аналоги. Для телерадиомастеров и подготовленных радиолюбителей.

    Название: Принципы построения схем на туннельных диодах
    Автор: Чжоу В.Ф.
    Год издания: 1966
    Страниц: 448
    Формат: djvu
    Размер: 3,69 MB
    Описание: Книга является первой попыткой систематизации обширного материала по применению туннельных диодов в радиотехнике и вычислительной технике. Она написана видным американским специалистом по полупроводниковым приборам, автором ряда известных книг по транзисторам. В ней рассмотрены физические явления, происходящие в туннельном диоде, подробно изложены вопросы усиления, генерирования и преобразования при помощи туннельных диодов, детально освещено использование туннельных диодов в качестве элементов вычислительных и запоминающих устройств. Книга отличается широтой охвата темы, удачным построением, а также простотой и физичностью изложения.
         Книга представляет несомненный интерес для широкого круга ученых и инженеров, работающих в области радиотехники и вычислительной техники, а также для студентов старших курсов высших учебных заведений, готовящих инженеров и научных работников в области радиотехники, вычислительной техники и связи.

    Название: Физика полупроводников. Учебник. 4-е изд
    Автор: Шалимова К.В.
    Год издания: 2010
    Страниц: 392
    Формат: pdf
    Размер: 15,14 MB
    Описание: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок.
         Рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда. Изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства.
         Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.

    Название: Транзисторы и полупроводниковые диоды. Справочник
    Автор: Николаевский И. Ф.
    Год издания: 1963
    Страниц: 648
    Формат: djvu
    Размер: 23,84 MB
    Описание: Настоящее — второе — издание справочника отличается от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно поясняющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведённых в справочнике. Справочник состоит из двух частей: «Транзисторы» и «Полупроводниковые диоды», из которых каждая делится на два раздела: «Общие сведения» и «Справочные данные». Транзисторы и диоды для облегчения отыскания расположены по восходящим цифрам их маркировки.