ѕолупроводники » —траница 2 » –†вАШ–†—С–†¬±–†¬ї–†—С–†—Х–°вАЪ–†¬µ–†—Ф–†¬∞ –°–В–†¬∞–†“С–†—С–†—Х–†¬ї–°–Л–†¬±–†—С–°вАЪ–†¬µ–†¬ї–°–П
Ћогин:
ѕароль:
ћеню сайта
√лавна€ ‘орум сайта RKniga.ru ‘орум ѕравила сайта  ниги ∆урналы ѕрограммы, —офт ѕрограммы —сылки Ќаписать нам
ѕоследние материалы
  •  аршеринг в ћоскве - это ѕросто, ”добно и Ќедорого.
  • ѕолевые транзисторы и их применение в технике св€зи. ћонографи€
  • ∆урнал –адиоЋоцман 2017 є1
  • Ћинейные усилители переменного сигнала
  • ‘отопреобразователи солнечной энергии. ”чебное пособие
  • ќсновы проектировани€ лазерных локационных систем
  • ƒомашний электрик. ћелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Ёлектрические измерени€. ”чебник. 8-е изд
  • ∆урнал Nuts and Volts 2017 є2
  • »змерительное телевидение. ”чебное пособие дл€ вузов
  • ѕопул€рные материалы
    —лучайна€ схема
    ƒрузь€ сайта
  • –адиолюбительска€ библиотека

  • Ќазвание: –асчет стабилизации режима полупроводниковых усилителей
    јвтор: ¬.—. √олуб
    √од издани€: 1977
    —траниц: 104
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 2,42 MB
    ќписание: –ассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилител€. ƒаны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилител€х с гальваническими св€з€ми элементов. ƒан анализ р€да термостабильных усилителей, обладающих высокой эксплуатационной надежностью.
         ѕредназначена дл€ инженерно-технических работников, занимающихс€ разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезна студентам вузов соответствующих специальностей.
    ”силители с полевыми транзисторами
    ƒобавлен: 1-07-2016, 02:34 ѕросмотров: 606  омментарии: 0

    Ќазвание: ”силители с полевыми транзисторами
    јвтор: ¬.ћ. Ќемчинов, ¬.√. Ќикитаев, ћ.ј. ќжогин, ¬.¬. Ћ€хович
    √од издани€: 1980
    —траниц: 192
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 4,07 MB
    ќписание: –ассмотрены основные свойства, вольт-амперные характеристики и параметры полевых транзисторов с затвором в виде рЧ€-перехода и со структурой металлЧдиэлектрикЧ полупроводник (ћƒѕ-транзисторы).
         јнализируютс€ типовые и комбинированные, использующие сочетание полевого и бипол€рного транзисторов, каскады усилителей, их параметры и характеристики в стационарном и переходном режимах. ћного внимани€ уделено вопросам температурного дрейфа и его компенсации, стабильности работы транзисторов и усилителей. –ассмотрены примеры применени€ обратной св€зи в этих каскадах и описаны интегральные операционные улилители. ƒаны рекомендации по проектированию усилителей с полевыми транзисторами, приведены практические схемы усилителей и инженерные расчетные формулы.
          нига предназначена дл€ инженеров, св€занных с разработкой радиоэлектронной аппаратуры, а также будет полезна аспирантам и студентам радиотехнических специальностей вузов.
    “иристор в электротехнике
    ƒобавлен: 28-06-2016, 01:33 ѕросмотров: 614  омментарии: 0

    Ќазвание: “иристор в электротехнике
    јвтор: ћагетто √.
    √од издани€: 1977
    —траниц: 184
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 5,68 MB
    ќписание: ¬ предлагаемом вниманию читателей переводе книги √. ћагетто Ђ“иристор в электротехникеї даны ответы на основные вопросы, которые возникают у каждого, кто впервые соприкасаетс€ в своей работе с устройствами современной преобразовательной техники.
         “иристор заметно отличаетс€, с одной стороны, от привычных дл€ электриков электромеханических устройств, а с другой стороны, от транзисторов, €вл€ющихс€ основой современной радиотехники и автоматики. ѕри этом, однако, он работает в силовой цепи совместно с электрическими машинами и аппаратами, а в цепи его управлени€ непременно присутствуют и транзисторы, и стабилитроны, и многие другие приборы современной электроники. ѕомочь разобратьс€ в сложном сочетании противоречивых требований, предъ€вл€емых современными системами силовой полупроводниковой техники, и призвана книга √. ћагетто.
         ¬ книге привод€тс€ основные характеристики тиристоров, их номинальные и максимально допустимые параметры. Ѕольшое внимание удел€етс€ средствам защиты тиристоров от тепловых перегрузок и перенапр€жений.
         јнализируютс€ схемы управлени€ тиристорами и предлагаетс€ универсальный способ управлени€ на основе логических схем. ƒано краткое описание специальных исполнений тиристоров и других многослойных полупроводниковых структур.
          нига рассчитана на инженеров, работающих в области преобразовательной техники, электропривода, электрического транспорта и т.п.

    Ќазвание: ”зкозонные полупроводники. ѕолучение и физические свойства
    јвтор: √авалешко Ќ.ѕ., √орлей ѕ.Ќ., Ўендеровский ¬.ј.
    √од издани€: 1984
    —траниц: 288
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 10,38 MB
    ќписание: ¬ монографии на основе современных теоретических представлений анализируютс€ особенности энергетической зонной структуры. –ассматриваютс€ вопросы технологии получени€ монокристаллов и управлени€ свойствами полупроводниковых материалов на основе халькогенидов II, IV и V групп ѕериодической системы химических элементов. ƒаютс€ основные физико-химические, электрофизические и магнитные характеристики узкозонных бинарных и тройных полупроводниковых соединений с изо- гетеровалентным замещением катиона. ќбсуждаютс€ основные экспериментальные методы кинетических, оптических и магнитных измерений, методы определени€ основных физических и зонных параметров, а также перспективы практического применени€ узкополосных полупроводниковых материалов.
         ƒл€ специалистов по физике полупроводников и полупроводниковым приборам.
    ѕолупроводниковые импульсные диоды
    ƒобавлен: 27-06-2016, 03:39 ѕросмотров: 509  омментарии: 0

    Ќазвание: ѕолупроводниковые импульсные диоды
    јвтор: ё. –. Ќосов
    √од издани€: 1965
    —траниц: 224
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,73 MB
    ќписание: ¬ книге рассмотрены переходные процессы в полупроводниковых диодах. ќписаны устройство и основные электрические и эксплуатационные характеристики важнейших типов импульсных диодов. –ассмотрены особенности работы импульсных диодов в различных электронных схемах. ƒаны расчеты р€да тепловых режимов малогабаритных диодов.
          нига рассчитана на инженеров, занимающихс€ разработкой, изготовлением и использованием полупроводниковых приборов.

    Ќазвание: —правочник по полупроводниковым приборам
    јвтор: Ћавриненко ¬.ё.
    √од издани€: 1966
    —траниц: 311
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,44 MB
    ќписание: —правочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпр€мителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных транзисторов с указанием области их применени€. ¬ справочнике дана нова€ классификаци€ диодов и транзисторов и сведени€ по новым типам полупроводниковых приборов.

    Ќазвание: ƒиоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы. —правочник
    јвтор: Ѕессарабов Ѕ.‘., ‘едюк ¬.ƒ., ‘едюк ƒ.¬.
    √од издани€: 1994
    —траниц: 721
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 14,75 MB
    ќписание: ¬ справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, примен€емых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. ѕриведены зарубежные аналоги отечественных микросхем, а также таблицы зарубежных диодов и транзисторов и их отечественные аналоги. ƒл€ телерадиомастеров и подготовленных радиолюбителей.

    Ќазвание: ѕринципы построени€ схем на туннельных диодах
    јвтор: „жоу ¬.‘.
    √од издани€: 1966
    —траниц: 448
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,69 MB
    ќписание:  нига €вл€етс€ первой попыткой систематизации обширного материала по применению туннельных диодов в радиотехнике и вычислительной технике. ќна написана видным американским специалистом по полупроводниковым приборам, автором р€да известных книг по транзисторам. ¬ ней рассмотрены физические €влени€, происход€щие в туннельном диоде, подробно изложены вопросы усилени€, генерировани€ и преобразовани€ при помощи туннельных диодов, детально освещено использование туннельных диодов в качестве элементов вычислительных и запоминающих устройств.  нига отличаетс€ широтой охвата темы, удачным построением, а также простотой и физичностью изложени€.
          нига представл€ет несомненный интерес дл€ широкого круга ученых и инженеров, работающих в области радиотехники и вычислительной техники, а также дл€ студентов старших курсов высших учебных заведений, готов€щих инженеров и научных работников в области радиотехники, вычислительной техники и св€зи.

    Ќазвание: ‘изика полупроводников. ”чебник. 4-е изд
    јвтор: Ўалимова  .¬.
    √од издани€: 2010
    —траниц: 392
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 15,14 MB
    ќписание: ¬ учебнике рассмотрены модельные представлени€ о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок.
         –ассмотрены механизмы рассе€ни€ носителей зар€да, генераци€ и рекомбинаци€ носителей зар€да, диффузи€ и дрейф неравновесных носителей зар€да. »зложены контактные и поверхностные €влени€ в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства.
         ”чебник предназначен дл€ студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.

    Ќазвание: “ранзисторы и полупроводниковые диоды. —правочник
    јвтор: Ќиколаевский ». ‘.
    √од издани€: 1963
    —траниц: 648
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 23,84 MB
    ќписание: Ќасто€щее Ч второе Ч издание справочника отличаетс€ от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно по€сн€ющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведЄнных в справочнике. —правочник состоит из двух частей: Ђ“ранзисторыї и Ђѕолупроводниковые диодыї, из которых кажда€ делитс€ на два раздела: Ђќбщие сведени€ї и Ђ—правочные данныеї. “ранзисторы и диоды дл€ облегчени€ отыскани€ расположены по восход€щим цифрам их маркировки.