ѕолупроводники » —траница 10 » –†вАШ–†—С–†¬±–†¬ї–†—С–†—Х–°вАЪ–†¬µ–†—Ф–†¬∞ –°–В–†¬∞–†“С–†—С–†—Х–†¬ї–°–Л–†¬±–†—С–°вАЪ–†¬µ–†¬ї–°–П
Ћогин:
ѕароль:
ћеню сайта
√лавна€ ‘орум сайта RKniga.ru ‘орум ѕравила сайта  ниги ∆урналы ѕрограммы, —офт ѕрограммы —сылки Ќаписать нам
ѕоследние материалы
  •  аршеринг в ћоскве - это ѕросто, ”добно и Ќедорого.
  • ѕолевые транзисторы и их применение в технике св€зи. ћонографи€
  • ∆урнал –адиоЋоцман 2017 є1
  • Ћинейные усилители переменного сигнала
  • ‘отопреобразователи солнечной энергии. ”чебное пособие
  • ќсновы проектировани€ лазерных локационных систем
  • ƒомашний электрик. ћелкий ремонт и простой монтаж в квартире и доме
  • Ёлектрические измерени€. ”чебник. 8-е изд
  • ∆урнал Nuts and Volts 2017 є2
  • »змерительное телевидение. ”чебное пособие дл€ вузов
  • ѕопул€рные материалы
    —лучайна€ схема
    ƒрузь€ сайта
  • –адиолюбительска€ библиотека

  • Ќазвание: Ћавинно-пролетные диоды. ‘изика, технологи€, применение
    јвтор: Ўухостанов ј. .
    √од издани€: 1997
    —траниц: 208
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 5,66 MB
    ќписание: ¬ монографии, написанной известным специалистом в области полупроводниковой электроники, изложены физические основы работы, технологи€ и проблемы надежности лавинно-пролетных диодов. –ассмотрены вопросы конструировани€ —¬„-генераторов и усилителей на основе лавинно-пролетных диодов. ѕриведены примеры использовани€ приборов в —¬„-технике. ƒл€ научных работников и инженеров, работающих в области полупроводниковой электроники, а также студентов старших курсов вузов.

    Ќазвание: “очечные дефекты в полупроводниках. “еори€
    јвтор: Ћанно ћ., Ѕургуэн ∆.
    √од издани€: 1984
    —траниц: 264
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 6,16 MB
    ќписание: ÷ель данной книги Ц познакомить читател€ с теорией точечных дефектов в полупроводниках. ¬ книге рассматриваетс€ геометри€ дефектов, теори€ мелких дефектов, теори€ глубоких уровней, колебательные свойства, св€занные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграци€.
         ƒл€ специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

    Ќазвание: »змерение параметров полупроводниковых материалов и структур
    јвтор: ¬.¬. Ѕатавин, ё.ј.  онцевой, ё.¬. ‘едорович
    √од издани€: 1985
    —траниц: 264
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 11,59 MB
    ќписание: ¬ книге "»змерение параметров полупроводниковых материалов и структур" рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. јнализируютс€ причины возникновени€ погрешностей, даютс€ рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. ѕривод€тс€ сведени€ о контрольно-измерительных средствах лабораторного и промышленного применени€ и их характеристиках.
         ƒл€ инженерно-технических работников, занимающихс€ контролем качества и исследованием физических свойств полупроводниковых материалов и структур.
         Ќесмотр€ на солидный возраст издани€, книга не потер€ла своей актуальности и в насто€щее врем€ в св€зи с практически полным отсутствием современной отечественной литературы аналогичного уровн€. ¬ особенности она может быть полезна преподавател€м и студентам при изучении дисциплин, св€занных с полупроводниковым материаловедением.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые приборы. “ранзисторы средней и большой мощности. —правочник
    јвтор: √оломедов ј.¬.(ред.)
    √од издани€: 1995
    —траниц: 642
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 18,93 MB
    ќписание: ¬ справочнике "ѕолупроводниковые приборы. “ранзисторы средней и большой мощности" привод€тс€ электрические и эксплуатационные характеристики и параметры транзисторов средней и большой мощности, используемых в выходных каскадах усилителей мощности, операционных, дифференциальных и импульсных усилител€х, генераторах кадровой и строчной разверток, низковольтных и высоковольтных преобразовател€х и стабилизаторах посто€нного напр€жени€, электронных регул€торах напр€жени€, переключающих устройствах, устройствах управлени€ газоразр€дными панел€ми переменного тока, устройствах зажигани€ двигателей внутреннего сгорани€ и др. ƒаютс€ классификаци€, система обозначений, основные стандарты дл€ описанных в справочнике приборов. ƒл€ конкретных типов приборов привод€тс€ сведени€ об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах, маркировке, предельных эксплуатационных режимах и услови€х работы.
         ƒл€ инженерно-технических работников, занимающихс€ разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры.

    Ќазвание: ћощные бипол€рные транзисторы дл€ импульсных источников питани€, TV-приемников и мониторов. —правочник
    јвтор: јвраменко ё.‘.
    —ери€: 544
    √од издани€: 2006
    ‘ормат: DjVu
    –азмер: 22,93 MB
    ќписание: ¬ справочнике приведены электрические характеристики мощных бипол€рных транзисторов, имеющих высокую скорость переключени€. ƒанные приборы примен€ютс€ в импульсных источниках питани€ различного назначени€, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике.
         ¬ книге представлены издели€ следующих ведущих производителей полупроводниковых приборов: FAIRCHILD, HITACHI, MOTOROLA (ON SEMICONDUCTOR), PANASONIC, PHILIPS, SANKEN, SAMSUNG, SANYO, SHINDENGEN, ST-MICROELECTRONICS, TOSHIBA и ZETEX. “аблица аналогов полупроводниковых приборов составлена на основании руководства Master Replacement Guide. —правочник рассчитан на специалистов, занимающихс€ обслуживанием и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры, а также на радиолюбителей.
    Ёлектронные приборы
    ƒобавлен: 4-03-2014, 03:11 ѕросмотров: 1192  омментарии: 0

    Ќазвание: Ёлектронные приборы.
    јвтор: ј.Ћ. Ѕулычев, ѕ.ћ. Ћ€мин, ≈.—. “улинов
    √од издани€: 2000
    —траниц: 415
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 31,96 MB
    ќписание: –ассматриваютс€ устройство, физические процессы, характеристики, параметры, система обозначений и простейшие схемы применени€ полупроводниковых приборов, интегральных микросхем, оптоэлектронных приборов, электронно-управл€емых ламп, электронно-лучевых трубок и газоразр€дных приборов. ¬ св€зи — сокращением объема выпуска электровакуумных приборов промышленностью и области их применени€ некоторые второстепенные физические €влени€ в них описываютс€ кратко. ¬ то же врем€ большое внимание удел€етс€ полупроводниковым и оптоэлектронным приборам, основам микроэлектроники и способам получени€ активных и пассивных элементов интегральных микросхем.
         Ќазванные приборы в насто€щее врем€ прочно зан€ли ведущее место в радиоэлектронной аппаратуре. ѕри этом главное внимание удел€етс€ электропреобразовательным приборам, и ныне €вл€ющимс€ основным функциональным классом электронных устройств. ѕо сравнению с аналогичными ранее издававшимис€ учебниками изменен пор€док изучени€ материала: изложение начинаетс€ с полупроводниковых, а заканчиваетс€ электровакуумными приборами и шумами электронных приборов. ¬первые включен материал по оптоэлектронным приборам, получающим все большее применение в радиоэлектронной аппаратуре и в технике св€зи.
         ƒл€ студентов радиотехнических специальностей вузов. ћожет быть полезным дл€ инженерно-технических работников, занимающихс€ вопросами создани€ радиоэлектронных устройств.

    Ќазвание: ѕолупроводниковые фотопреобразователи
    јвтор: ¬асильев ј.ћ. Ћандсман ј.ѕ.
    √од издани€: 1971
    —траниц: 248
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 6,79 MB
    ќписание: ¬ книге "ѕолупроводниковые фотопреобразователи" сделана попытка обобщить и систематизировать материал, св€занный с принципом работы и эксплуатационными характеристиками фотоэлектрических преобразователей, широко примен€емых в насто€щее врем€ в качестве источников энергопитани€ космических аппаратов. »злагаютс€ физические основы фотовольтаического эффекта и применение теории дл€ определени€ вольтамперных характеристик и параметров фотопреобразователей различного типа. “ехнологическа€ схема изготовлени€ фотопреобразователей согласовываетс€, где это возможно, с теорией работы фотоэлемента.
         –ассматриваютс€ принципиальные ограничени€, св€занные с улучшением характеристик фотопреобразователей, а также надежность солнечных батарей и их радиационна€ устойчивость. ќбсуждаютс€ некоторые новые направлени€ фотоэлектрической энергетики (термофотопреобразователи).
          нига "ѕолупроводниковые фотопреобразователи" предназначена дл€ инженеров, научных работников и студентов, специализирующихс€ в области изготовлени€ и применени€ полупроводниковых фотопреобразователей, а также дл€ разработчиков фотоэлектрической энергетики космических аппаратов.

    Ќазвание: Ёлектронное переключение в аморфных полупроводниках
    јвтор:  остылев —. ј., Ўкут ¬. ј.
    √од издани€: 1978
    —траниц: 203
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 3,61 MB
    ќписание: ¬ монографии описаны физические основы €влени€ переключени€ в аморфных полупроводниках - одного из наиболее перспективных дл€ фундаментальных и прикладных исследований эффектов. ѕриведены новые данные о зонной структуре аморфных полупроводников и физических принципах разработки электронных устройств, использующих €влени€ 5-ќƒ—, переключени€ и процессы, протекающие в област€х с высокой плотностью тока.  нига "Ёлектронное переключение в аморфных полупроводниках" рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области полупроводниковой электроники, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
    ќсновы транзисторной электроники
    ƒобавлен: 13-02-2014, 22:31 ѕросмотров: 1389  омментарии: 0

    Ќазвание: ќсновы транзисторной электроники
    јвтор: јгахан€н “. ћ.
    √од издани€: 1974
    —траниц: 256
    ‘ормат: pdf
    –азмер: 23,77 MB
    ќписание: ќсновы транзисторной электроники - ƒаетс€ описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. »сследуютс€ импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом вли€ни€ токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки.
         –ассматриваютс€ принцип действи€, статические, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры бипол€рных и унипол€рных транзисторов, привод€тс€ их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств.  нига предназначена дл€ аспирантов и студентов, специализирующихс€ по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. ќна будет представл€ть интерес и дл€ инженеров, занимающихс€ разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
    ќптроны и их применение
    ƒобавлен: 22-01-2014, 19:47 ѕросмотров: 1909  омментарии: 0

    Ќазвание: ќптроны и их применение
    јвтор: Ќосов ё.–., —идоров ј.—.
    √од издани€: 1981
    —траниц: 280
    ‘ормат: djvu
    –азмер: 6,70 MB
    ќписание: –ассмотрены принцип действи€, физические основы, устройство и параметры оптронов и оптоэлектронных интегральных схем. »зложены особенности построени€ и расчета схем, использующих оптроны. ѕриведены технические характеристики отечественных оптронов, рассмотрены 100 практических схем, иллюстрирующих возможности эффективного применени€ оптронов в р€де областей техники.
          нига рассчитана на широкий круг читателей.